Ничего не найдено
Принятые доклады
Quantum technologies and nonlinear optics
Q-0004
Nonlinear upconverting nanoparticle for sensing and lasing
1 Harbin Institute of Technology
Q-0003
THE GROWTH OF 4-INCH ZNGEP2 SINGLE CRYSTAL AND HUNDRED-WATT MID-WAVE INFRARED LASER
1 Harbin Institute of Technology
Квантовые технологии и нелинейная оптика
К-0065
Воздействие филамента фемтосекундного лазерного импульса на водно-капельный аэрозоль с наночастицами серебра (колларгол)
1 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
К-0060
Взаимодействие вузов и промышленных партнеров при формировании перспективных образовательных программ
1 Томский государственный университет
К-0056
Требования к размещению систем квантового распределения ключа на беспилотных летательных аппаратах
1 Томский государственный университет
К-0058
NV и N2V центры окраски алмаза для создания источников одиночных фотонов
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
К-0051
Зависимость интенсивности электролюминесценции центров окраски алмаза от приложенного напряжения
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
К-0054
Люминесценция и ОДМР NV- центров в (111) алмазных наноструктурах, сформированных ФИП ионов Ga+ и химическим травлением
1 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
2 Новосибирский государственный технический университет
3 Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Российская Федерация
4 Новосибрский государственный университет
5 Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
2 Новосибирский государственный технический университет
3 Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Российская Федерация
4 Новосибрский государственный университет
5 Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
К-0052
Электронное обеспечение лазерных систем
1 ИПФ РАН
К-0045
Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3,5 – 5 мкм при накачке излучением Ho: YAG лазера
1 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
К-0047
Мультиплексирование сигналов с использованием волн с орбитальным угловым моментом создаваемых круговым массивом антенн
1 Томский политехнический университет
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
К-0062
Подавление когерентных шумов на цифровых голографических изображениях
1 Томский государственный университет
К-0063
Подавление когерентных шумов на цифровых голографических изображениях
1 Томский государственный университет
К-0042
Система дистанционного газоанализа атмосферы с применением перестраиваемого узкополосного диодного лазера
1 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
К-0037
«Использование непрерывных одночастотных лазеров в процессах лазерного охлаждения атомов и манипуляций атомами для прецизионной спектроскопии»
1 АО «ЛЛС», г. Санкт-Петербург, Россия
К-0034
Фоторефрактивные голограммы в диффузионно-легированном медью кристалле ниобата лития
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
К-0035
Нелинейные кристаллы LiGaSe2 с антиотражающими микроструктурами
1 Новосибирский государственный университет
2 МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Российская Федерация
3 Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Российская Федерация
2 МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Российская Федерация
3 Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Российская Федерация
К-0028
Частотно-энергетические характеристики лазера на парах меди с накачкой генератором Маркса: газоразрядные трубки УЛ-102 и ГЛ-201
1 Томский государственный университет
К-0022
ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЛАЗЕРНОЙ ЗАКАЛКИ НА ПОРОГ ОПТИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ
1 Томский государственный университет
К-0029
Влияние магнитореологической полировки рабочей поверхности ZnGeP2 на оптическую прочность кристалла
1 Томский государственный университет
2 ООО "Лаборатория оптических кристаллов"
3 ООО " Лаборатория оптических кристаллов"
4 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
2 ООО "Лаборатория оптических кристаллов"
3 ООО " Лаборатория оптических кристаллов"
4 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
К-0018
Адресное управление распределением интенсивности в массивах оптических дипольных ловушек получаемых итерационным алгоритмом расчета фазовых голограмм
1 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
К-0044
Исследование лучевой стойкости кристаллов тиогаллата ртути
1 Новосибрский государственный университет
К-0049
Исследование лучевой стойкости кристаллов литиевых халькогенидов на длине волны 2 мкм
1 Новосибрский государственный университет
2 Институт лазерной физики СО РАН
2 Институт лазерной физики СО РАН
К-0019
Исследование оптических и нелинейно-оптических характеристик кристаллов бариевых халькогенидов для создания источников излучения среднего ИК диапазона
1 Институт лазерной физики СО РАН
2 Новосибрский государственный университет
3 Кубанский государственный университет
2 Новосибрский государственный университет
3 Кубанский государственный университет
К-0015
Исследование нелинейного показателя преломления бариевых халькогенидов
1 Новосибрский государственный университет
2 Институт лазерной физики СО РАН
3 Кубанский государственный университет
2 Институт лазерной физики СО РАН
3 Кубанский государственный университет
К-0016
Solving optimization problems using quantum computing
1 Новосибрский государственный университет
2 Новосибирский государственный университет
2 Новосибирский государственный университет
К-0010
Механизмы образования N2V-центров в природных алмазах
1 Санкт-Петербургский Государственный Университет, Санкт-Петербург, Россия
2 Санкт-Петербургский Горный Университет
3 ООО "НПК "Алмаз-Карабаново"
2 Санкт-Петербургский Горный Университет
3 ООО "НПК "Алмаз-Карабаново"
К-0030
СЕКТОРИАЛЬНОСТЬ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В НРНТ АЛМАЗАХ С NV--ЦЕНТРАМИ
1 Санкт-Петербургский Государственный Университет, Санкт-Петербург, Россия
2 ООО
3 РТУ МИРЭА
4 Санкт-Петербургский Горный Университет
5 Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения
6 Томский государственный университет
2 ООО
3 РТУ МИРЭА
4 Санкт-Петербургский Горный Университет
5 Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения
6 Томский государственный университет
К-0026
ПАРАМЕТРЫ НАВЕДЕНОЙ ТЕРМОЛИНЗЫ В УСЛОВИЯХ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЕ В ДИАПЗОНЕ ОТ 3 ДО 5 МКМ
1 Томский государственный университет
К-0004
Фотолюминесценция N2V0 центров окраски в алмазе в магнитном поле
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
К-0002
Центры окраски алмаза в квантовой сенсорике и квантовых вычислениях
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
Перспективные источники электромагнитного излучения
П-0018
Тренировка затылочных мышщ лица сумчатых млекопитающих
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
П-0021
Лазеры на NV-центрах в алмазе: особенности и современное состояние
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
П-0013
Спектральная эффективность и динамический характер возбуждения суперлюминесценции в секториальных НРНТ алмазах с NV¯-центрами
1 Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения
2 Аффилиация №1
3 Санкт-Петербургский Горный Университет
4 ООО "НПК "Алмаз"
5 Томский государственный университет
6 ООО «ВЕЛМАН»
2 Аффилиация №1
3 Санкт-Петербургский Горный Университет
4 ООО "НПК "Алмаз"
5 Томский государственный университет
6 ООО «ВЕЛМАН»
П-0017
Mechanical-Rotation-Free Widely Tunable ZGP-Based Mid-IR Parametric Source in Narrow-Linewidth and Frequency Comb Regimes
1 ИПФ РАН, Нижний Новгород, Российская Федерация
П-0016
Сжатие данных.
1 ТПУ, Томск, РФ
К-0025
Частотно-энергетические характеристики лазера на парах меди с накачкой генератором Маркса: газоразрядная трубка LT10Cu
1 Томский государственный университет
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
П-0011
СУБНАНОСЕКУНДНЫЙ Nd:YAG/Cr:YAG МИКРОЧИП-ЛАЗЕР С МВт УРОВНЕМ ПИКОВОЙ МОЩНОСТИ НА 532 НМ
1 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
2 ООО "АКАДЕМЛАЗЕРМАШ"
3 Новосибирский государственный технический университет
2 ООО "АКАДЕМЛАЗЕРМАШ"
3 Новосибирский государственный технический университет
П-0015
Лазерные системы инфракрасного диапазона от 1,9 до 6 мкм для медицинских применений
1 МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Российская Федерация
К-0009
Конструкция активного элемента на парах щелочных металлов с индукционным нагревателем
1 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
П-0019
CuBr-лазер, возбуждаемый LTD-генератором на основе сумматора напряжения
1 TPU, Tomsk, RF
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
П-0020
Активная среда на переходах атома марганца как источник излучнения в видимом и ближнем ИК диапазоне спектра
1 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
П-0003
Temporal shapes of pulses generated by NV-centers diamond laser
1 Томский государственный университет
П-0008
Зависимость параметров лазерной генерации на NV-центрах в алмазе от температуры
1 Томский государственный университет
Синтез материалов
С-0055
Методы цифровой голографии для исследования структуры оптических лазерных материалов
1 Томский государственный университет
С-0053
Применение ТГц-спектроскопии для анализа структуры композитной керамики медицинского назначения
1 ИФПМ СО РАН
С-0050
История развития технологии нелинейных кристаллов в Томске
1 ИМКЭС СО РАН
С-0048
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ РОСТА КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ НА ГРАФИТЕ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
1 Томский государственный университет
С-0044
Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)
1 Томский государственный университет
С-0040
Исследование условий выращивания монокристаллов окиси иттрия из растворов в бор-бариевых расплавах
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
2 ООО "КрОМ"
2 ООО "КрОМ"
С-0042
Исследование условий выращивания монокристаллов окиси иттрия из растворов в бор-бариевых расплавах.
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
С-0038
Фотогенераторы кислоты для синтеза олигонуклеотидов
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
С-0035
Создание пористых мембран для синтеза ДНК-библиотек
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
С-0041
Выращивание монокристаллов дивольфрамата натрия низкоградиентным методом Чохральского
1 Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Российская Федерация
2 Новосибрский государственный университет
2 Новосибрский государственный университет
С-0045
ИНЖИНИРИНГ АТОМНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЕ АЛМАЗА - КАК ОСНОВА ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНЫХ СРЕД ДЛЯ КВАНТОВЫХ СЕНСОРОВ, ЛАЗЕРОВ, СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МОНИТОРА ПУЧКОВ СИ
1 ООО «ВЕЛМАН»
С-0031
ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ НА ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ β-Ga2O3, ВЫРАЩЕННЫЕ МЕТОДОМ HVPE
1 ФТИ им А.Ф. Иоффе РАН
С-0027
Измерение порога лазерного разрушения кристалла молибдата лития-натрия
1 МФТИ (НИУ)
2 НТО ИРЭ-Полюс
3 РХТУ им. Д.И. Менделеева, Москва, Российская Федерация
2 НТО ИРЭ-Полюс
3 РХТУ им. Д.И. Менделеева, Москва, Российская Федерация
С-0039
Новые волоконно-оптические материалы для инфракрасного и терагерцового спектральных диапазонов
1 ФГАОУ ВО Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина
С-0046
Исследование процесса кристаллизации нелинейного кристалла LiGaS2. Моделирование тепловых условий выращивания.
1 Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Российская Федерация
С-0028
Фазовые переходы и изменения нелинейно-оптических свойств крситаллов BaGa4Se7
1 Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
С-0022
ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛЕ НИОБАТА ЛИТИЯ, ЛЕГИРОВАННОМ МЕДЬЮ
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
С-0020
Измерение малых поглощений в прозрачных оптических материалах методом лазерной калориметрии
1 НТО ИРЭ-Полюс
С-0029
Спектроскопия молекул в нанопорах и ее приложения для определения харатеристик и свойств нанопористых структур
1 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
С-0016
Возможности использования двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования пространственного распределения люминесцентных характеристик в кристаллах синтетического алмаза
1 Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия
С-0017
Возможности использования двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования пространственного распределения люминесцентных характеристик в кристаллах синтетического алмаза
1 Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия
С-0013
Выращивание монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te с помощью оригинальной технологии легирования
1 Томский государственный университет
С-0014
Исследование оптических свойств монокристалла дифосфида цинка-германия сильно легированного Te
1 Томский государственный университет
С-0007
Система компьютерного зрения на базе сверточных нейронных сетей и методов цифровой голографии для задач идентификации объемных дефектов в монокристаллических материалах
1 Томский государственный университет
С-0008
Предпробойные процессы и оптический пробой монокристалла ZnGeP2 при воздействии лазерного излучения с длинной волны ~ 2,1 мкм
1 Томский государственный университет
С-0009
Порог оптического пробоя монокристаллов GaSe
1 Томский государственный университет
С-0010
Способы модификации поверхности монокристаллов ZnGeP2 с целью повышения порога оптического пробоя
1 Томский государственный университет
С-0011
Генерация ТГц излучения в монокристаллах ZnGeP2
1 Томский государственный университет
Электронные, фотонные и оптоэлектронные устройства
Э-0058
Проблемы обработки алмазных материалов для производства эффективной ЭКБ нового поколения
1 ООО "Алмазная Долина", Карабаново, Россия
Э-0053
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОРОГА ЛАЗЕРНОГО РАЗРУШЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZPG С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГЛУБОКОЙ МАГНИТОРЕОЛОГИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ РАБОЧИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
1 Институт тепло- и массообмена имени А.В.Лыкова НАН Беларуси
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0054
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОРОГА ЛАЗЕРНОГО РАЗРУШЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZPG С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГЛУБОКОЙ МАГНИТОРЕОЛОГИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ РАБОЧИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
1 Институт тепло- и массообмена имени А.В.Лыкова НАН Беларуси
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0055
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОРОГА ЛАЗЕРНОГО РАЗРУШЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZPG С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГЛУБОКОЙ МАГНИТОРЕОЛОГИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ РАБОЧИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
1 Институт тепло- и массообмена имени А.В.Лыкова НАН Беларуси
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0056
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОРОГА ЛАЗЕРНОГО РАЗРУШЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZPG С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГЛУБОКОЙ МАГНИТОРЕОЛОГИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ РАБОЧИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
1 Институт тепло- и массообмена имени А.В.Лыкова НАН Беларуси
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0051
Исследования в области молекулярной фотоники в Томском университете. Исторический аспект
1 Томский государственный университет
Э-0048
Поляризационный лидар и реанализ как инструментарий для исследования микроструктуры конденсационных следов самолётов
1 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
Э-0044
Ga2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники
1 Томский государственный университет
Э-0057
Методы цифровой голографии для дефектоскопии и визуализации дефектов оптических материалов
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
Э-0059
Методы цифровой голографии для дефектоскопии и визуализации дефектов оптических материалов
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
Э-0060
Методы цифровой голографии для дефектоскопии и визуализации дефектов оптических материалов
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0041
поляризационное лазерное зондирование и методы машинного обучения для решения задач атмосферной оптики
1 Томский государственный университет
Э-0035
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ PT/(100) Β-GA2O3
1 Центр исследований и разработок
Э-0033
ДИОДЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ β-Ga2O3
1 Томский государственный университет
Э-0038
Магнитные жидкости с управляемыми экранирующими характеристиками на основе магнетита и многослойных углеродных нанотрубок
1 Томский государственный университет
Э-0039
Исследование спектров диэлектрической проницаемости МУНТ, диспергированных в жидкости носителе, в диапазоне частот от 1 кГц до 2 МГц
1 Томский государственный университет
Э-0046
Лазерная генерация в активных органических волноводных структурах
1 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0031
Возможности лазерной обработки для создания гибких электронных компонентов
1 TPU, Tomsk, RF
Э-0026
LASER-INDUCED FABRICATION OF FLEXIBLE THERMOELECTRIC GENERATORS
1 ТПУ, Томск, РФ
Э-0037
Экспериментальное исследование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического карбида кремния
1 Томский государственный университет
Э-0036
Экспериментальное исследование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического сапфира
1 Томский государственный университет
Э-0019
Регистрация квантов рентгеновского излучения в циклах нагрева и охлаждения пироэлектрического кристалла ниобата лития при атмосферном давлении
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
Э-0015
Микрорезонатор с электрически управляемой добротностью
1 Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН
Э-0016
Микрорезонатор с электрически управляемой добротностью
1 Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН
2 Сибирский федеральный университет
3 ООО “Научно-производственная компания “Спецтехнаука”
2 Сибирский федеральный университет
3 ООО “Научно-производственная компания “Спецтехнаука”
Э-0017
Температурная зависимость структуры минизон короткопериодной сверхрешетки InAs/GaSb
1 ФИАН РАН, Москва, Российская Федерация
Э-0012
Двухволновая цифровая голографическая камера с использованием лазера на парах меди
1 Томский государственный университет
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
Э-0049
Разработка дихроичного зеркала ближнего ИК диапазона на основе Nb2O5/SiO2
1 Томский государственный университет
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
Э-0050
Влияние состава и морфологии диэлектрических зеркал для лазерных источников лидарных комплексов на их порог оптического пробоя
1 Томский государственный университет
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
Э-0005
Свечение алмаза при возбуждении пучков электронов с энергией десятки кэВ – единицы МэВ
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Томский государственный университет
3 Томский политехнический университет
2 Томский государственный университет
3 Томский политехнический университет
Э-0002
Рекомбинация электронно-дырочной жидкости в спектрах люминесценции беспримесного алмаза
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
Э-0003
Влияние энергии и плотности электронного пучка на возбуждение центров свечения в алмазе
1 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
3 ТПУ, Томск, РФ
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
3 ТПУ, Томск, РФ
Э-0006
Люминесценция синтетических алмазов в зависимости от способа возбуждения
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
Э-0007
Монитор синхротронного рентгеновского пучка на основе синтетического алмаза
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Томский государственный университет
3 ООО
4 Институт ядерной физики СО РАН
2 Томский государственный университет
3 ООО
4 Институт ядерной физики СО РАН