Ничего не найдено
Принятые доклады
Квантовые технологии и нелинейная оптика
К-0099
Структурные дефекты в алмазе – современное понимание и дальнейшие перспективы
1 ООО
К-0093
Технологический контроль шероховатости и дефектной структуры поверхности монокристаллов ZGP методом когерентной оптики
1 Томский государственный университет
К-0094
Повышение лазерной стойкости монокристаллов ZGP за счет низкотемпературной плазменной обработки поверхности
1 Томский государственный университет
К-0095
Предпороговая лазерная обработка поверхности ZGP в режиме сканирования и её влияние на оптический пробой
1 Томский государственный университет
К-0096
Влияние компенсации заряда при ионной очистке ZGP на дефектообразование перед ионно-лучевым напылением покрытий
1 Томский государственный университет
К-0103
Моделирование NV центров в алмазе методом DFT
1 Томский государственный университет
К-0086
Отражение и пропускание структур с резонаторами германия и кремния
1 Томский государственный университет
К-0084
Адаптивная бессенсорная оптимизация волнового фронта лазерного излучения по многокритериальной морфологической метрике пятна рассеяния
1 Институт лазерной физики СО РАН
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
3 Новосибирский государственный университет
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
3 Новосибирский государственный университет
К-0092
Конечно-элементное моделирование в программном обеспечении Elmer FEM solver электрического поля для экспериментов по лазерному возбуждению ультрахолодных ридберговских атомов
1 Новосибирский государственный университет
К-0104
Перспективы применения параметрического генератора света на базе монокристалла ZnGeP2 в области лазерной хирургии
1 Томский государственный университет
К-0105
Апробация параметрических генераторов света на базе монокристалла ZnGeP2 для решения задач газоанализа атмосферы
1 Томский государственный университет
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
2 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
К-0106
Определение порога лазерного разрушения монокристалла ZnGeP2 на длине волны воздействующего излучения от 1,9 до 2,1 мкм
1 Томский государственный университет
К-0107
Параметрическая генерация излучения в монокристалле ZnGeP2 на длинах волн 2,8 – 8 мкм
1 Томский государственный университет
К-0090
Изучение уширения спектра фемтосекундного лазерного импульса при распространении в азоте
1 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
К-0091
Разработка компактного лазера на Yb:Er стекле с поперечной диодной накачкой
1 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
К-0101
Влияние метода и глубины полирования на порог лазерного пробоя монокристаллов ZGP
1 Томский государственный университет
2 ООО
3 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
4 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
2 ООО
3 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
4 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
К-0102
Пределы повышения лучевой стойкости монокристаллов ZnGeP₂: влияние магнитореологической обработки на порог оптического пробояПределы повышения лучевой стойкости монокристаллов ZnGeP₂: влияние магнитореологической обработки на порог оптического пробоя
1 Томский государственный университет
2 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
3 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
2 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
3 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
К-0100
Повышение устойчивости визуальной локализации автономных летательных носителей методом контрастивного обучения
1 Томский государственный университет
К-0071
Лазеры и квантовые сенсоры на центрах окраски алмаза
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
Перспективные источники электромагнитного излучения
П-0031
Применение импульсных ламп для деградации поллютантов в водных средах
1 Томский государственный университет
П-0034
Применение импульсных ламп для деградации поллютантов в водных средах
1 Томский государственный университет
П-0033
Нелинейно-оптическое преобразование частоты в кристалле BaGa2GeS6
1 Институт лазерной физики СО РАН
П-0026
Нейросетевая программа для анализа изображений оптических поверхностей
1 ООО
П-0032
Спектры пропускания и отражения кристаллов PbIn6Te10
1 ООО
2 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
2 ООО «Лаборатория оптических кристаллов»
П-0027
Лазер на NV¯ центрах окраски алмаза с субмиллиджоульной энергией импульса
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Томский государственный университет
3 ООО
2 Томский государственный университет
3 ООО
П-0029
ZGP Crystal
1 Томский государственный университет
Синтез материалов
С-0075
Механизмы фотокаталитической активности наночастиц Ag-ZnO, полученных методом импульсной лазерной абляции
1 Томский государственный университет
С-0073
НАПРАВЛЕННЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ СИНТЕЗ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СИЛИКАТОВ ВИСМУТА
1 Томский государственный университет
С-0076
Методы повышения точности автоматизированного тестирования СВЧ- и миллиметровых электронных устройств
1 Аффиляция #2
С-0070
Генерационные свойства хромена-3 в полимерных пленках
1 Томский государственный университет
С-0077
Синтез удлинённых квантовых точек германия на кремнии
1 Томский государственный университет
С-0071
Особенности роста грани (100) кристалла L-arginine phosphate
1 ННГУ им. Н.И. Лобачевского
2 ИПФ РАН, Нижний Новгород, Российская Федерация
2 ИПФ РАН, Нижний Новгород, Российская Федерация
С-0066
Влияние примеси K2HPO4*3H2O на кинетику роста граней и оптические свойства кристаллов KDP
1 ННГУ им. Н.И. Лобачевского
2 ИПФ РАН, Нижний Новгород, Российская Федерация
2 ИПФ РАН, Нижний Новгород, Российская Федерация
С-0061
Влияние собственных примесей на формирование полос первого рода и пристеночных пор в монокристаллах ZnGeP2
1 Томский государственный университет
С-0062
Изучение Влияния легирования халькогенами на оптические свойства ZnGeP2
1 Томский государственный университет
С-0064
Удаление собственных примесей ZnGeP2 с помощью наклонной перекристаллизации
1 Томский государственный университет
Электронные, фотонные и оптоэлектронные устройства
Э-0102
Исследование конфигурации ультразвуковой дефектоскопической системы с четырьмя датчиками на основе интерферометров Фабри-Перо
1 Университет ИТМО
Э-0099
Активный интерфейс универсальной платформы фотоэлектрического твизера на основе нестехиометричных кристаллов ниобата лития, химически модифицированных в приповерхностном слое
1 ФГБОУ ВО Кемеровский государственный университет, Кемерово, Российская Федерация
Э-0091
Восстановление фазовой составляющей цифровой голограммы
1 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
Э-0092
Обработка цифровых голографических изображений оптических материалов при помощи методов цифровой голографии и машинного зрения
1 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
2 ООО
3 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
2 ООО
3 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
Э-0096
Поляризационные и геометрические эффекты в плазмонных наноантеннах при гигантском комбинационном рассеянии света
1 Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Э-0103
Восстановление содержания диоксида азота в атмосфере с использованием MAX-DOAS системы
1 Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск, Российская Федерация
Э-0101
Исследование характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для MWIR диапазона
1 Томский государственный университет
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
Э-0085
Система возбуждения комбинационного рассеяния с использованием лазерных диодов InGaN
1 Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0083
Органические волноводные лазеры
1 Томский государственный университет
Э-0082
Применение фотонных кристаллов для синтеза олигонуклеотидов
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
Э-0079
Моделирование генерации излучения в алмазе под действием электронного пучка с энергией единицы МэВ
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
3 Национальный исследовательский Томский политехнический университет
2 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
3 Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Э-0100
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЁНОК a-Ga2O3 С Ti/Ni КОНТАКТАМИ
1 Томский государственный университет
Э-0076
Дозиметры на основе термо- и оптически стимулированной люминесценции синтетического алмаза
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0073
Сенсоры кислорода для Λ-зонда на основе микрокристаллов β-Ga2O3, полученных при термическом отжиге эпитаксиальных плёнок ĸ(ε)-Ga2O3
1 Томский государственный университет
Э-0074
Разработка высокотемпературных газовых сенсоров на основе тонких плёнок TiO2
1 Томский государственный университет
Э-0098
Акустооптический модулятор
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
Э-0104
Численное моделирование диода Шоттки на основе борированного алмаза
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0107
Влияние материала контактов на параметры алмазных диодов Шоттки
1 Томский государственный университет
Э-0108
Влияние материала контактов на параметры алмазных диодов Шоттки
1 Томский государственный университет
Э-0106
Температурные зависимости вольтамперных характеристик алмазных диодов Шоттки
1 Томский государственный университет


