Ничего не найдено
Принятые доклады
Квантовые технологии и нелинейная оптика
К-0086
Отражение и пропускание структур с резонаторами германия и крмния
1 Томский государственный университет
К-0087
Отражение и пропускание структур с резонаторами германия и кремния
1 Томский государственный университет
К-0084
Адаптивная бессенсорная оптимизация волнового фронта лазерного излучения по многокритериальной морфологической метрике пятна рассеяния
1 Институт лазерной физики СО РАН
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
3 Новосибирский государственный университет
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация
3 Новосибирский государственный университет
К-0071
Лазеры и квантовые сенсоры на центрах окраски алмаза
1 Томский государственный университет
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Институт сильноточной электроники СО РАН
Перспективные источники электромагнитного излучения
П-0026
Нейросетевая программа для анализа изображений оптических поверхностей
1 ООО
П-0027
Лазер на NV¯ центрах окраски алмаза с субмиллиджоульной энергией импульса
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Томский государственный университет
3 ООО
2 Томский государственный университет
3 ООО
Синтез материалов
С-0066
Влияние примеси K2HPO4*3H2O на кинетику роста граней и оптические свойства кристаллов KDP
1 ННГУ им. Н.И. Лобачевского
2 ИПФ РАН, Нижний Новгород, Российская Федерация
2 ИПФ РАН, Нижний Новгород, Российская Федерация
С-0061
Влияние собственных примесей на формирование полос первого рода и пристеночных пор в монокристаллах ZnGeP2
1 Томский государственный университет
С-0062
Изучение Влияния легирования халькогенами на оптические свойства ZnGeP2
1 Томский государственный университет
С-0063
Удаление собственных примесей с помощью наклонной перекристаллизации
1 Томский государственный университет
С-0064
Удаление собственных примесей ZnGeP2 с помощью наклонной перекристаллизации
1 Томский государственный университет
Электронные, фотонные и оптоэлектронные устройства
Э-0085
Система возбуждения комбинационного рассеяния с использованием лазерных диодов InGaN
1 Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0083
Органические волноводные лазеры
1 Томский государственный университет
Э-0082
Применение фотонных кристаллов для синтеза олигонуклеотидов
1 ТУСУР, Томск, Российская Федерация
Э-0078
Моделирование излучения Вавилова-Черенкова и катодолюминесценции в алмазе
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
Э-0079
Моделирование генерации излучения в алмазе под действием электронного пучка с энергией единицы МэВ
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
3 Национальный исследовательский Томский политехнический университет
2 Национальный исследовательский Томский Государственный университет, г. Томск, Россия
3 Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Э-0075
Дозиметры на основе термо- и оптически стимулированной люминесценции синтетического алмаза
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
Э-0076
Дозиметры на основе термо- и оптически стимулированной люминесценции синтетического алмаза
1 Институт сильноточной электроники СО РАН
2 Томский государственный университет
2 Томский государственный университет
Э-0073
Сенсоры кислорода для Λ-зонда на основе микрокристаллов β-Ga2O3, полученных при термическом отжиге эпитаксиальных плёнок ĸ(ε)-Ga2O3
1 Томский государственный университет
Э-0074
Разработка высокотемпературных газовых сенсоров на основе тонких плёнок TiO2
1 Томский государственный университет